Diskussion:Resistive Random Access Memory

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Letzter Kommentar: vor 5 Tagen1 Kommentar1 Person ist an der Diskussion beteiligt

"Als Resistive Random Access Memory (RRAM oder ReRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen RAM-Speichertyp, der durch Änderung des elektrischen Widerstandes eines schwach leitfähigen Dielektrikums Information speichert. Die Speicherzelle eines RRAMs, welche die Informationsmenge von einem Bit speichern kann, besteht aus einem normalerweise nicht leitenden Oxid, in dem künstliche Störstellen eingefügt sind, deren elektrischer Widerstand durch eine beim Schreiben angelegte elektrische Spannung zwischen zwei Extremwerten umgeschaltet werden kann. Die beiden Widerstandswerte repräsentieren die beiden möglichen Zustände logisch-0 oder logisch-1 von einem Bit."

ist auch für einen Elektrotechniker nicht verständlich! Das normale RAM speichert 0 oder 1 - wozu bräuchte man hier einen Widerstand. Ausserdem: ein Widerstand speichert nicht. In Nature Communication wurde ein Artikel veröffentlicht, wonach analog (!) Matrix-Operationen durchgeführt wurden auf der Basis von Leitwerten: U * (G11 + G12 + ... G1n) = I1 usw mit weiteren Pfaden -> I = I1 + I2 + ... als Ergebnis. Die Gij stellen bei der KI die Gewichte dar. Also muss man die Gij (Leitwerte, Gewichte) variieren können.

Kann jemand bitte den Artikel aktualisieren? ~2025-30187-10 (Diskussion) 20:45, 24. Jan. 2026 (CET)Beantworten