금속-질화물-산화물-반도체 트랜지스터

금속-질화물-산화물-반도체(영어: metal–nitride–oxide–semiconductor) 또는 금속-질화물-산화물-실리콘(metal–nitride–oxide–silicon, MNOS) 트랜지스터는 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터)의 일종으로, 산화물 층이 질화물과 산화물의 이중층으로 대체된 것이다.^[1] 이는 기존 표준 MOS 기술의 대안이자 보완책으로, 질화물-산화물 층이 절연체로 사용된다.^[2]^[3] 이는 비휘발성 컴퓨터 메모리에 사용된다.^[4]

역사

최초의 이산화 규소 트랜지스터는 1957년 벨 연구소에서 프로쉬와 데릭이 개발했다.^[5]

1967년 말, H.A. 리처드 웨게너가 이끄는 스페리 연구팀은 금속-질화물-산화물-반도체(MNOS) 트랜지스터를 발명했는데,^[6] 이는 산화물 층이 질화물과 산화물의 이중층으로 대체된 MOSFET의 일종이다.^[1] 질화물은 부동 게이트 대신 트랩 층으로 사용되었지만, 부동 게이트보다 열등하다고 여겨져 사용이 제한되었다.^[7]

전하 트랩(CT) 메모리는 1960년대 후반 MNOS 장치와 함께 도입되었다. 이는 부동 게이트(FG) 메모리와 유사한 장치 구조 및 작동 원리를 가졌지만, 주된 차이점은 FG 메모리에서는 전하가 전도성 재료(일반적으로 도핑된 폴리실리콘 층)에 저장되는 반면, CT 메모리에서는 유전체 층(일반적으로 질화 규소로 만들어짐) 내의 국부화된 트랩에 전하를 저장한다는 점이다.^[8]

같이 보기

각주

↑ ^가 ^나 Brodie, Ivor; Muray, Julius J. (2013). 《The Physics of Microfabrication》. Springer Science & Business Media. 74쪽. ISBN 9781489921604.
↑ Frohman-Bentchkowsky, D. (1970). 《The metal-nitride-oxide-silicon (MNOS) transistor—Characteristics and applications》. 《Proceedings of the IEEE》 58. 1207–1219쪽. doi:10.1109/PROC.1970.7897.
↑ “Metal–nitride–oxide–semiconductor (MNOS) technology”. JEDEC.
↑ Ng, Kwok K. (2010). 〈Metal-Nitride-Oxide Semiconductor Transistor〉. 《Complete Guide to Semiconductor Devices》 (영어). John Wiley & Sons, Inc. 353–360쪽. doi:10.1002/9781118014769.ch47. ISBN 9781118014769.
↑ Frosch, C. J.; Derick, L (1957). 《Surface Protection and Selective Masking during Diffusion in Silicon》. 《Journal of the Electrochemical Society》 (영어) 104. 547쪽. doi:10.1149/1.2428650.
↑ Wegener, H. A. R.; Lincoln, A. J.; Pao, H. C.; O'Connell, M. R.; Oleksiak, R. E.; Lawrence, H. (October 1967). 《The variable threshold transistor, a new electrically-alterable, non-destructive read-only storage device》. 1967 International Electron Devices Meeting. 70쪽. doi:10.1109/IEDM.1967.187833.
↑ Prall, Kirk; Ramaswamy, Nirmal; Goda, Akira (2015). 〈Chapter 2: A Synopsis on the State of the Art of NAND Memories〉. 《Charge-Trapping Non-Volatile Memories: Volume 1 – Basic and Advanced Devices》. Springer. 37–64 (39)쪽. ISBN 9783319152905.
↑ Ioannou-Soufleridis, V.; Dimitrakis, Panagiotis; Normand, Pascal (2015). 〈Chapter 3: Charge-Trap Memories with Ion Beam Modified ONO Stracks〉. 《Charge-Trapping Non-Volatile Memories: Volume 1 – Basic and Advanced Devices》. Springer. 65–102 (65)쪽. ISBN 9783319152905.

[The_Physics_of_Microfabrication-1] 가 ^나 Brodie, Ivor; Muray, Julius J. (2013). 《The Physics of Microfabrication》. Springer Science & Business Media. 74쪽. ISBN 9781489921604.

[2] Frohman-Bentchkowsky, D. (1970). 《The metal-nitride-oxide-silicon (MNOS) transistor—Characteristics and applications》. 《Proceedings of the IEEE》 58. 1207–1219쪽. doi:10.1109/PROC.1970.7897.

[3] “Metal–nitride–oxide–semiconductor (MNOS) technology”. JEDEC.

[4] Ng, Kwok K. (2010). 〈Metal-Nitride-Oxide Semiconductor Transistor〉. 《Complete Guide to Semiconductor Devices》 (영어). John Wiley & Sons, Inc. 353–360쪽. doi:10.1002/9781118014769.ch47. ISBN 9781118014769.

[5] Frosch, C. J.; Derick, L (1957). 《Surface Protection and Selective Masking during Diffusion in Silicon》. 《Journal of the Electrochemical Society》 (영어) 104. 547쪽. doi:10.1149/1.2428650.

[6] Wegener, H. A. R.; Lincoln, A. J.; Pao, H. C.; O'Connell, M. R.; Oleksiak, R. E.; Lawrence, H. (October 1967). 《The variable threshold transistor, a new electrically-alterable, non-destructive read-only storage device》. 1967 International Electron Devices Meeting. 70쪽. doi:10.1109/IEDM.1967.187833.

[7] Prall, Kirk; Ramaswamy, Nirmal; Goda, Akira (2015). 〈Chapter 2: A Synopsis on the State of the Art of NAND Memories〉. 《Charge-Trapping Non-Volatile Memories: Volume 1 – Basic and Advanced Devices》. Springer. 37–64 (39)쪽. ISBN 9783319152905.

[Ioannou-8] Ioannou-Soufleridis, V.; Dimitrakis, Panagiotis; Normand, Pascal (2015). 〈Chapter 3: Charge-Trap Memories with Ion Beam Modified ONO Stracks〉. 《Charge-Trapping Non-Volatile Memories: Volume 1 – Basic and Advanced Devices》. Springer. 65–102 (65)쪽. ISBN 9783319152905.

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